창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK8Q60W,S1VQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK8Q60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 400µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | TK8Q60WS1VQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK8Q60W,S1VQ | |
관련 링크 | TK8Q60W, TK8Q60W,S1VQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | C0805T474K3RALTU | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805T474K3RALTU.pdf | |
![]() | 520N25HA16M3690 | 16.369MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 2mA | 520N25HA16M3690.pdf | |
![]() | FI168P245010-T | RF Diplexor 2.4GHz ~ 2.5GHz / 4.9GHz ~ 5.85GHz 0603 (1608 Metric) | FI168P245010-T.pdf | |
![]() | P6B | P6B ORIGINAL SOT-323 | P6B.pdf | |
![]() | 803-93-030-10-001 | 803-93-030-10-001 PRECI-DIP ORIGINAL | 803-93-030-10-001.pdf | |
![]() | 2C2 | 2C2 ST D0-35 | 2C2.pdf | |
![]() | CDSOD323-03SLF | CDSOD323-03SLF BOURNS SOD323 | CDSOD323-03SLF.pdf | |
![]() | MAX1287EKA+T | MAX1287EKA+T MAXIM SOT23-8 | MAX1287EKA+T.pdf | |
![]() | 50WQ03FNTRLPBF | 50WQ03FNTRLPBF IR TO-252 | 50WQ03FNTRLPBF.pdf | |
![]() | R1114D151D-TR-FB | R1114D151D-TR-FB RICOH SMD or Through Hole | R1114D151D-TR-FB.pdf | |
![]() | IOR7465 | IOR7465 IOR SMD or Through Hole | IOR7465.pdf | |
![]() | GRM0335C1E01JDADB | GRM0335C1E01JDADB MURATA RES | GRM0335C1E01JDADB.pdf |