창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK8A10K3,S5Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK8A10K3 Datasheet | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 18W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK8A10K3,S5Q(M TK8A10K3,S5Q,M TK8A10K3S5Q TK8A10K3S5QM TK8A10K3S5QM-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK8A10K3,S5Q | |
관련 링크 | TK8A10K, TK8A10K3,S5Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 416F370X2CLR | 37MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X2CLR.pdf | |
![]() | MMF1WSFRF56R | RES SMD 56 OHM 1% 1W MELF | MMF1WSFRF56R.pdf | |
![]() | KA2511 | KA2511 SAMSUNG NA | KA2511.pdf | |
![]() | 95256WS | 95256WS ST SO-8 | 95256WS.pdf | |
![]() | 593D336X0016D2T | 593D336X0016D2T VISHAY 16V33 | 593D336X0016D2T.pdf | |
![]() | LTC2052CGN | LTC2052CGN LT SSOP16 | LTC2052CGN.pdf | |
![]() | TD380N04KOF | TD380N04KOF EUPEC SMD or Through Hole | TD380N04KOF.pdf | |
![]() | RT0603BRE07 30K1L | RT0603BRE07 30K1L ORIGINAL SMD or Through Hole | RT0603BRE07 30K1L.pdf | |
![]() | 58X5173 | 58X5173 IBM PLCC | 58X5173.pdf | |
![]() | 46506.3 | 46506.3 LF SMD or Through Hole | 46506.3.pdf | |
![]() | 216Q7CFBGA13 7500 M7-CSP32 | 216Q7CFBGA13 7500 M7-CSP32 ATI BGA | 216Q7CFBGA13 7500 M7-CSP32.pdf |