창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK2Q60D(Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK2Q60D Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
공급 장치 패키지 | PW-MOLD2 | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | TK2Q60DQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK2Q60D(Q) | |
관련 링크 | TK2Q60, TK2Q60D(Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
LKX2D391MESA25 | 390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | LKX2D391MESA25.pdf | ||
VJ0805D431JXAAT | 430pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D431JXAAT.pdf | ||
TL3842D | Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology Up to 500kHz 14-SOIC | TL3842D.pdf | ||
DA9050-02CVI-G3 | DA9050-02CVI-G3 DIAIOG BGA | DA9050-02CVI-G3.pdf | ||
IC42S16160D-7TL | IC42S16160D-7TL ICSI TSOP | IC42S16160D-7TL.pdf | ||
SMJ27C256--20JM | SMJ27C256--20JM TI/BB SMD or Through Hole | SMJ27C256--20JM.pdf | ||
ST7P311B/LKM | ST7P311B/LKM STM SMD or Through Hole | ST7P311B/LKM.pdf | ||
ACPM5202 | ACPM5202 AVAGO SMD or Through Hole | ACPM5202.pdf | ||
MC0023.0 | MC0023.0 ORIGINAL SIP-17P | MC0023.0.pdf | ||
2SB2535 | 2SB2535 ON TO-220 | 2SB2535.pdf | ||
S87C552-4N40 | S87C552-4N40 ORIGINAL SMD or Through Hole | S87C552-4N40.pdf | ||
CXK5816M- | CXK5816M- SONY SMD-24 | CXK5816M-.pdf |