창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK12E60W,S1VX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK12E60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK12E60WS1VX | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK12E60W,S1VX | |
관련 링크 | TK12E60, TK12E60W,S1VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | DSC1018CE2-040.0000T | 40MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 4mA (Typ) Standby (Power Down) | DSC1018CE2-040.0000T.pdf | |
![]() | IR3842WMTR1PBF | IR3842WMTR1PBF IR SMD or Through Hole | IR3842WMTR1PBF.pdf | |
![]() | 2SA1179M7-TB | 2SA1179M7-TB SANYO SOT-23 | 2SA1179M7-TB.pdf | |
![]() | ADG528F | ADG528F ADI SMD or Through Hole | ADG528F.pdf | |
![]() | SGH20N120RUFDTU | SGH20N120RUFDTU FairchildSemicond SMD or Through Hole | SGH20N120RUFDTU.pdf | |
![]() | MT3031 | MT3031 MASTKIT SMD or Through Hole | MT3031.pdf | |
![]() | ASM3154-04 | ASM3154-04 ORIGINAL BGA | ASM3154-04.pdf | |
![]() | TB3126AF | TB3126AF ORIGINAL SMD or Through Hole | TB3126AF.pdf | |
![]() | SI115 | SI115 ORIGINAL TSSOP8 | SI115.pdf | |
![]() | 74LS05FPFL | 74LS05FPFL HIT SOP5.2 | 74LS05FPFL.pdf |