창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK12A55D(STA4,Q,M) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK12A55D Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 570m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK12A55D(STA4QM) TK12A55DSTA4QM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK12A55D(STA4,Q,M) | |
관련 링크 | TK12A55D(S, TK12A55D(STA4,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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![]() | 74611-000 | 74611-000 RAYCHEM SMD | 74611-000.pdf | |
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![]() | FA603 | FA603 ORIGINAL PQFN | FA603.pdf | |
![]() | STM809TWX6F. | STM809TWX6F. ST SOT-23 | STM809TWX6F..pdf | |
![]() | CUS12 | CUS12 ORIGINAL SMD or Through Hole | CUS12.pdf | |
![]() | QS8886-20P | QS8886-20P QSI DIP24 | QS8886-20P.pdf | |
![]() | 04 5036 006 201 862+ | 04 5036 006 201 862+ ORIGINAL SMD or Through Hole | 04 5036 006 201 862+.pdf | |
![]() | URZA200VH221M22X51LL | URZA200VH221M22X51LL UMITEDCHEMI-CON DIP | URZA200VH221M22X51LL.pdf |