창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TJ80S04M3L(T6L1,NQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TJ80S04M3L Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 158nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7770pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TJ80S04M3L(T6L1NQ TJ80S04M3LT6L1NQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TJ80S04M3L(T6L1,NQ | |
관련 링크 | TJ80S04M3L, TJ80S04M3L(T6L1,NQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | MKP1839433405 | 0.33µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.453" Dia x 1.043" L (11.50mm x 26.50mm) | MKP1839433405.pdf | |
![]() | 7304-24-1001 | Reed Relay 4PST (4 Form A) Through Hole | 7304-24-1001.pdf | |
![]() | H4200RBZA | RES 200 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4200RBZA.pdf | |
![]() | MMDS914T1 | MMDS914T1 n/a SMD or Through Hole | MMDS914T1.pdf | |
![]() | 11-21SRVGC | 11-21SRVGC EVERLIGHT SMD | 11-21SRVGC.pdf | |
![]() | HO-25B/35.328 | HO-25B/35.328 HOSONIC SMD or Through Hole | HO-25B/35.328.pdf | |
![]() | ZM4755AST | ZM4755AST ST LL-41 | ZM4755AST.pdf | |
![]() | SN65HVD3082EDGK | SN65HVD3082EDGK ORIGINAL SMD or Through Hole | SN65HVD3082EDGK.pdf | |
![]() | LWM673Q25K0 | LWM673Q25K0 osram INSTOCKPACK3000 | LWM673Q25K0.pdf | |
![]() | NE68830 | NE68830 NEC SOT-323 | NE68830.pdf |