창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TISP4C035L1NR-S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TISP4C0xxL1N Series | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | TISP4C0xxL1NR-S Declaration of Hazardous Substance | |
PCN 단종/ EOL | TISP4C0xxL1NR-S Jul/2016 | |
PCN 부품 상태 변경 | Multiple Devices Optimization Plans Jul/2016 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 사이리스터 | |
제조업체 | Bourns Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
전압 - 브레이크오버 | 35V | |
전압 - 오프 상태 | 24V | |
전압 - 온 상태 | - | |
전류 - 피크 펄스(8/20µs) | 30A | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 18A | |
전류 - 유지(Ih) | 50mA | |
소자 개수 | 1 | |
정전 용량 | 15pF | |
패키지/케이스 | SC-74A, SOT-753 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TISP4C035L1NR-S | |
관련 링크 | TISP4C035, TISP4C035L1NR-S 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 |
![]() | EMVY350ADA470MF61G | 47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EMVY350ADA470MF61G.pdf | |
![]() | 402F19222IDR | 19.2MHz ±20ppm 수정 18pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F19222IDR.pdf | |
![]() | 445A25K25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25K25M00000.pdf | |
![]() | SIHB15N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 15A DPAK | SIHB15N60E-GE3.pdf | |
![]() | IRGP20B120UD-2 | IRGP20B120UD-2 IR TO-247 | IRGP20B120UD-2.pdf | |
![]() | STD9NF10-TR | STD9NF10-TR ST SMD or Through Hole | STD9NF10-TR.pdf | |
![]() | IMSA-9293S-50B-GF | IMSA-9293S-50B-GF IRISO SMD | IMSA-9293S-50B-GF.pdf | |
![]() | L6T1008C2E-GL70 | L6T1008C2E-GL70 SAMSUNG SOP | L6T1008C2E-GL70.pdf | |
![]() | STB9NK70 | STB9NK70 ST TO-263 | STB9NK70.pdf | |
![]() | 2GBJ06 | 2GBJ06 HY/ SMD or Through Hole | 2GBJ06.pdf | |
![]() | 9126AV | 9126AV ORIGINAL DIP | 9126AV.pdf | |
![]() | GRM155R71E472KA01E | GRM155R71E472KA01E MURATA SMD or Through Hole | GRM155R71E472KA01E.pdf |