창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TEA1101(N8) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TEA1101(N8) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP16 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TEA1101(N8) | |
| 관련 링크 | TEA110, TEA1101(N8) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | GJM0335C1E7R2DB01D | 7.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E7R2DB01D.pdf | |
![]() | 2027-60-B10LF | GDT 600V 15% 10KA THROUGH HOLE | 2027-60-B10LF.pdf | |
![]() | 2026-35-C2FLF | GDT 350V 20% 20KA T/H FAIL SHORT | 2026-35-C2FLF.pdf | |
![]() | TS200F33CDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS200F33CDT.pdf | |
![]() | IR049M | IR049M IR (SOP-8) | IR049M.pdf | |
![]() | M55342K04B110DR | M55342K04B110DR MSI SMD | M55342K04B110DR.pdf | |
![]() | DA5381N2-S | DA5381N2-S HITACHI SMD or Through Hole | DA5381N2-S.pdf | |
![]() | WPM2019-3/TR | WPM2019-3/TR WILL SOT-523 | WPM2019-3/TR.pdf | |
![]() | CS75N75B8H V1 | CS75N75B8H V1 ORIGINAL TO-220AB | CS75N75B8H V1.pdf | |
![]() | 478980003 | 478980003 MLX na | 478980003.pdf | |
![]() | DTC143TEA | DTC143TEA ROHM SMD or Through Hole | DTC143TEA.pdf |