창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TC4S66F/ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TC4S66F/ | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TC4S66F/ | |
관련 링크 | TC4S, TC4S66F/ 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | B43640A2397M000 | 390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 230 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 105°C | B43640A2397M000.pdf | |
![]() | CMF504K7500FKRE | RES 4.75K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF504K7500FKRE.pdf | |
![]() | ER5882RJT | RES 82.0 OHM 7W 5% AXIAL | ER5882RJT.pdf | |
![]() | TA80386DX-25 | TA80386DX-25 TOSHIBA NA | TA80386DX-25.pdf | |
![]() | PESD0603-14 | PESD0603-14 TYCO SMD or Through Hole | PESD0603-14.pdf | |
![]() | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) Samsung SMD or Through Hole | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB).pdf | |
![]() | SAB-C515-L16M | SAB-C515-L16M ORIGINAL SMD or Through Hole | SAB-C515-L16M.pdf | |
![]() | TPV8200B | TPV8200B Freescale 375A-01 | TPV8200B.pdf | |
![]() | 98FX9210A1-BCN1 | 98FX9210A1-BCN1 MARVELL SMD or Through Hole | 98FX9210A1-BCN1.pdf | |
![]() | DAP235K | DAP235K ROHM SOT-23 | DAP235K.pdf | |
![]() | SST49LF002B-33-4C-NH/ | SST49LF002B-33-4C-NH/ SST SMD or Through Hole | SST49LF002B-33-4C-NH/.pdf | |
![]() | CDA3080S | CDA3080S INTER TO | CDA3080S.pdf |