창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TAS5086DBTR(PB FREE) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TAS5086DBTR(PB FREE) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TSSOP38 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TAS5086DBTR(PB FREE) | |
| 관련 링크 | TAS5086DBTR(, TAS5086DBTR(PB FREE) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BZT52B4V7-HE3-08 | DIODE ZENER 4.7V 410MW SOD123 | BZT52B4V7-HE3-08.pdf | |
![]() | NTNS3A92PZT5G | MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3 | NTNS3A92PZT5G.pdf | |
![]() | MCA12060D7689BP500 | RES SMD 76.8 OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D7689BP500.pdf | |
![]() | TH50VPF5683 | TH50VPF5683 TOSHIBA SMD or Through Hole | TH50VPF5683.pdf | |
![]() | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | MBAT54HT1 | MBAT54HT1 ORIGINAL SMD or Through Hole | MBAT54HT1.pdf | |
![]() | PS-1522 | PS-1522 ALEPH SMD or Through Hole | PS-1522.pdf | |
![]() | V86999CAPY8 | V86999CAPY8 HARRIS PLCC28 | V86999CAPY8.pdf | |
![]() | HJ358 | HJ358 HJ SMD or Through Hole | HJ358.pdf | |
![]() | MBRS340T3 ON SMC | MBRS340T3 ON SMC ON SMD or Through Hole | MBRS340T3 ON SMC.pdf | |
![]() | M58LW032D-90ZA1 | M58LW032D-90ZA1 ST BGA | M58LW032D-90ZA1.pdf | |
![]() | MAX3232EUE+T.. | MAX3232EUE+T.. MAXIM SOP | MAX3232EUE+T...pdf |