홈 » 제품 카테고리 » 전자 부품 » 다른 구성 요소 - 3 » M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM

- M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM

M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
제조업체 부품 번호
M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 구성 요소 - 3
간단한 설명
M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole
데이터 시트 다운로드
다운로드
M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM 가격 및 조달

가능 수량

39610 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM 매개 변수
내부 부품 번호EIS-M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD or Through Hole
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM
관련 링크M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ , M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM 데이터 시트, - 에이전트 유통
M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM 의 관련 제품
0.022µF Isolated Capacitor 4 Array 50V X7R 1206 (3216 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) CKCA43X7R1H223M100AA.pdf
22µH Shielded Inductor 300mA 2.84 Ohm Max Nonstandard IFSC0806AZER220M01.pdf
BUS61555 883B DDC DDIP BUS61555 883B.pdf
ERB44-02 V1 FJ SMD or Through Hole ERB44-02 V1.pdf
AD8370AREZZ-REEL7 AD SOP AD8370AREZZ-REEL7.pdf
HD74HC273RPVEL-E-Q HIT SOP7.2MM HD74HC273RPVEL-E-Q.pdf
205817-3 TYCO SMD or Through Hole 205817-3.pdf
70HFL10 IR DO-5 70HFL10.pdf
S-80808ANNP SEIKO SOT-343 S-80808ANNP.pdf
MSP430D2370IPHAR TI SMD or Through Hole MSP430D2370IPHAR.pdf
LM4941SDX/NOPB NS SMD or Through Hole LM4941SDX/NOPB.pdf
2SA2048A ROHM SOT-23 2SA2048A.pdf