창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TARS156M010RNJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TARS156M010RNJ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | S | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TARS156M010RNJ | |
| 관련 링크 | TARS156M, TARS156M010RNJ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| AM-24.5454MAQQ-T | 24.5454MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AM-24.5454MAQQ-T.pdf | ||
![]() | SIT8008BI-12-18S-33.33333E | OSC XO 1.8V 33.33333MHZ ST | SIT8008BI-12-18S-33.33333E.pdf | |
![]() | UGB18BCT-E3/81 | DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB | UGB18BCT-E3/81.pdf | |
![]() | 327AN | 327AN AT&T PLCC68 | 327AN.pdf | |
![]() | RD2N1U | RD2N1U GTS NA | RD2N1U.pdf | |
![]() | 26B01 | 26B01 ICS MSOP-8 | 26B01.pdf | |
![]() | CD4010TBE | CD4010TBE SAMSUNG SMD or Through Hole | CD4010TBE.pdf | |
![]() | MAX1586AETM+T | MAX1586AETM+T MAX TQFN-48 | MAX1586AETM+T.pdf | |
![]() | S1D13A04B00B10B | S1D13A04B00B10B epson SMD or Through Hole | S1D13A04B00B10B.pdf | |
![]() | XC2S150FGG256AMS | XC2S150FGG256AMS XILINX BGA | XC2S150FGG256AMS.pdf | |
![]() | MT46V64M4TG-75ZL:C | MT46V64M4TG-75ZL:C Micron TSOP66 | MT46V64M4TG-75ZL:C.pdf | |
![]() | CDH45A-120M | CDH45A-120M PREMO SMD | CDH45A-120M.pdf |