창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-T494B106K004AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | T494B106K004AS | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | T494B106K004AS | |
| 관련 링크 | T494B106, T494B106K004AS 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 8-1625868-0 | RES SMD 35.7 OHM 0.1% 1/4W 0805 | 8-1625868-0.pdf | |
![]() | MBB02070C2490FRP00 | RES 249 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2490FRP00.pdf | |
![]() | 0805CS-R125XGBC | 0805CS-R125XGBC COILCRAFT SMD or Through Hole | 0805CS-R125XGBC.pdf | |
![]() | DS1000N-125 | DS1000N-125 DALLAS DIP8 | DS1000N-125.pdf | |
![]() | M471B5273DH0-CH9 (DDR3/1333/256/SO-DIMM) | M471B5273DH0-CH9 (DDR3/1333/256/SO-DIMM) Samsung SMD or Through Hole | M471B5273DH0-CH9 (DDR3/1333/256/SO-DIMM).pdf | |
![]() | HA13415 | HA13415 HIT DIP16 | HA13415.pdf | |
![]() | 74HC573D,653 | 74HC573D,653 NXP SMD or Through Hole | 74HC573D,653.pdf | |
![]() | XC3S1500-4FG678C | XC3S1500-4FG678C XILINX BGA | XC3S1500-4FG678C.pdf | |
![]() | ISPLSI2064VE-100LT-100 | ISPLSI2064VE-100LT-100 ORIGINAL QFP | ISPLSI2064VE-100LT-100.pdf | |
![]() | ASG35VB4700ME1 | ASG35VB4700ME1 Chemi-con na | ASG35VB4700ME1.pdf | |
![]() | LT1308AICS8 | LT1308AICS8 LT SSOP28 | LT1308AICS8.pdf | |
![]() | MAX17806EUI+T | MAX17806EUI+T MAXIM TSSOP | MAX17806EUI+T.pdf |