창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZMMSZ5227BT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Devices Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 Assembly/Test Site Addition 07/Jan/2015 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 24옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SZMMSZ5227BT1G-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZMMSZ5227BT1G | |
| 관련 링크 | SZMMSZ52, SZMMSZ5227BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1808GA331KAT1AJ | 330pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GA331KAT1AJ.pdf | |
![]() | RT0603WRB0726R1L | RES SMD 26.1OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRB0726R1L.pdf | |
![]() | TNPW2512649RBEEG | RES SMD 649 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512649RBEEG.pdf | |
![]() | LT A67C-T2V1-35 | LT A67C-T2V1-35 OSRAM LED | LT A67C-T2V1-35.pdf | |
![]() | S82433LX-SZ852-R | S82433LX-SZ852-R INTEL SMD or Through Hole | S82433LX-SZ852-R.pdf | |
![]() | 5609MP | 5609MP FAIrchildsemi QFN | 5609MP.pdf | |
![]() | GB128 | GB128 ORIGINAL SMD or Through Hole | GB128.pdf | |
![]() | 70232-115 | 70232-115 FCI con | 70232-115.pdf | |
![]() | PTFA220081M | PTFA220081M INFINEON DIP | PTFA220081M.pdf | |
![]() | LT1046CS8 | LT1046CS8 LT SOP-8 | LT1046CS8.pdf | |
![]() | RM06FTN2152 | RM06FTN2152 TA-I SMD or Through Hole | RM06FTN2152.pdf | |
![]() | GFORCE3-T | GFORCE3-T NVIDIA BGA | GFORCE3-T.pdf |