창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP90N03-03-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP90N03-03 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 28.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 257nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12065pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP90N03-03-E3 | |
| 관련 링크 | SUP90N03, SUP90N03-03-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27125IKR | 27.12MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125IKR.pdf | |
![]() | XC2S30-6CSG144C | XC2S30-6CSG144C XC BGA | XC2S30-6CSG144C.pdf | |
![]() | PC812A | PC812A SHARP SMD DIP | PC812A.pdf | |
![]() | 0603-49.9R | 0603-49.9R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-49.9R.pdf | |
![]() | CM40 | CM40 DAITO SMD or Through Hole | CM40.pdf | |
![]() | A6811SEP | A6811SEP ALLEGRO PLCC | A6811SEP.pdf | |
![]() | GDZ11C | GDZ11C PANJIT DO-34 | GDZ11C.pdf | |
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![]() | K4E160811C-FC50 | K4E160811C-FC50 SAMSUNG TSOP28 | K4E160811C-FC50.pdf | |
![]() | IC51-1604-926 | IC51-1604-926 YAMAICHI SMD or Through Hole | IC51-1604-926.pdf | |
![]() | EN80C51FA1 | EN80C51FA1 INTEL SMD or Through Hole | EN80C51FA1.pdf |