창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50P06-15-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD50P06-15 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4950pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD50P06-15-GE3TR SUD50P0615GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD50P06-15-GE3 | |
관련 링크 | SUD50P06-, SUD50P06-15-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VAR-18080115M3P-XK | VARISTOR 11.5V RING | VAR-18080115M3P-XK.pdf | |
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![]() | Y007580K0000B0L | RES 80K OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y007580K0000B0L.pdf | |
![]() | PNX5209EL/047/4A | PNX5209EL/047/4A NXP BGA | PNX5209EL/047/4A.pdf | |
![]() | TC5517CF-20 | TC5517CF-20 TOSHIBA SOP-24 | TC5517CF-20.pdf | |
![]() | NE3508M04-T1-A | NE3508M04-T1-A NEC SMD or Through Hole | NE3508M04-T1-A.pdf | |
![]() | SCI4S81FEL | SCI4S81FEL TOSHIBA SOT-153 | SCI4S81FEL.pdf | |
![]() | MR27V3202F-JMMAZ020 | MR27V3202F-JMMAZ020 ORIGINAL SOP44 | MR27V3202F-JMMAZ020.pdf | |
![]() | CM21CH390J200BT | CM21CH390J200BT ORIGINAL SMD or Through Hole | CM21CH390J200BT.pdf | |
![]() | XPC860DTZP50B3--MOTO | XPC860DTZP50B3--MOTO MOTO SMD or Through Hole | XPC860DTZP50B3--MOTO.pdf | |
![]() | MALTA | MALTA NULL NULL | MALTA.pdf |