창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUD45P04-16P-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUD45P04-16P | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.2 m옴 @ 14A, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2765pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUD45P04-16P-GE3 | |
| 관련 링크 | SUD45P04-, SUD45P04-16P-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | TDKC2012JF1C105ZT0 | TDKC2012JF1C105ZT0 TDK NA | TDKC2012JF1C105ZT0.pdf | |
![]() | 841-P-2A-C-H12DC | 841-P-2A-C-H12DC SONGCHUAN DIP-6 | 841-P-2A-C-H12DC.pdf | |
![]() | CY7C245-35LMB | CY7C245-35LMB CypressSemiconductor SMD or Through Hole | CY7C245-35LMB.pdf | |
![]() | 3314Z-3-205E | 3314Z-3-205E BOURNS SMD or Through Hole | 3314Z-3-205E.pdf | |
![]() | MGS10202/1 | MGS10202/1 MAJOR SMD or Through Hole | MGS10202/1.pdf | |
![]() | SCY991562CDR2G | SCY991562CDR2G ON SMD or Through Hole | SCY991562CDR2G.pdf |