창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW7N105K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7N105K5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH5™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1050V(1.05kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-15285-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW7N105K5 | |
관련 링크 | STW7N1, STW7N105K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | STF57N65M5 | MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP | STF57N65M5.pdf | |
![]() | BRFL2518T1R5M | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 143 mOhm Max 1007 (2518 Metric) | BRFL2518T1R5M.pdf | |
![]() | PAT0805E1172BST1 | RES SMD 11.7K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E1172BST1.pdf | |
![]() | U12SHA0.4C-C | U12SHA0.4C-C MIT SMD or Through Hole | U12SHA0.4C-C.pdf | |
![]() | PTN3300AH2 | PTN3300AH2 NXP QFN | PTN3300AH2.pdf | |
![]() | CAT811T TEL:82766440 | CAT811T TEL:82766440 ON SOT143 | CAT811T TEL:82766440.pdf | |
![]() | D9DVK | D9DVK ORIGINAL BGA | D9DVK.pdf | |
![]() | 88E8001-A4-LKJ-1C000 | 88E8001-A4-LKJ-1C000 MARVELL TQFP | 88E8001-A4-LKJ-1C000.pdf | |
![]() | DS36276M-NOPB (LEADFREE) | DS36276M-NOPB (LEADFREE) NEC SMD or Through Hole | DS36276M-NOPB (LEADFREE).pdf | |
![]() | 54LS502J/883(5962-9080001MEA) | 54LS502J/883(5962-9080001MEA) NSC DIP | 54LS502J/883(5962-9080001MEA).pdf | |
![]() | K7A801801B-PI16 | K7A801801B-PI16 SAMSUNG TQFP | K7A801801B-PI16.pdf | |
![]() | UN921MJ-TX.ER | UN921MJ-TX.ER Panasonic SOT | UN921MJ-TX.ER.pdf |