창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW22NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx22NM60N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1330pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-10998-5 STW22NM60N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW22NM60N | |
| 관련 링크 | STW22N, STW22NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| UVZ1H221MPD | 220µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ1H221MPD.pdf | ||
![]() | 445A33L14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33L14M31818.pdf | |
![]() | 402F16033CLR | 16MHz ±30ppm 수정 12pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F16033CLR.pdf | |
![]() | RT0603WRE0710K5L | RES SMD 10.5K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRE0710K5L.pdf | |
![]() | LC35256FM | LC35256FM ORIGINAL SOP-28 | LC35256FM.pdf | |
![]() | PC97551DG/K1 | PC97551DG/K1 NS QFP | PC97551DG/K1.pdf | |
![]() | TDA8593J/N3 | TDA8593J/N3 NXP ZIP | TDA8593J/N3.pdf | |
![]() | esq-120-14-g-d | esq-120-14-g-d samtec SMD or Through Hole | esq-120-14-g-d.pdf | |
![]() | ELSS-106SYGWA | ELSS-106SYGWA EVERLIGHT SMD or Through Hole | ELSS-106SYGWA.pdf | |
![]() | TMCME0E337KTR | TMCME0E337KTR HITACHI SMD or Through Hole | TMCME0E337KTR.pdf | |
![]() | GRM30COG110J16M530 | GRM30COG110J16M530 MURATA SMD or Through Hole | GRM30COG110J16M530.pdf |