창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW19NM50N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx19NM50N | |
기타 관련 문서 | STW19NM50N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-10653-5 STW19NM50N-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW19NM50N | |
관련 링크 | STW19N, STW19NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
445W22S27M00000 | 27MHz ±20ppm 수정 시리즈 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22S27M00000.pdf | ||
RT1408B6TR13 | RES NTWRK 18 RES MULT OHM 27LBGA | RT1408B6TR13.pdf | ||
CMF60130R00FHEA | RES 130 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60130R00FHEA.pdf | ||
CMF602M0000FKEB70 | RES 2M OHM 1W 1% AXIAL | CMF602M0000FKEB70.pdf | ||
AV151KE | RES 150 OHM 2W 10% RADIAL | AV151KE.pdf | ||
AEO25Y48N-L | AEO25Y48N-L Emerson SMD or Through Hole | AEO25Y48N-L.pdf | ||
PTN3310DP | PTN3310DP NXP TSSOP8 | PTN3310DP.pdf | ||
MQW6D0B1G73R6 | MQW6D0B1G73R6 MURATA SMD or Through Hole | MQW6D0B1G73R6.pdf | ||
TC7WBL3306CFK | TC7WBL3306CFK TOSHIBA US8 | TC7WBL3306CFK.pdf | ||
AIC1722A-27PXATR | AIC1722A-27PXATR AIC/ SOT-89 | AIC1722A-27PXATR.pdf | ||
RF0603-82R | RF0603-82R Uniohm SMD or Through Hole | RF0603-82R.pdf |