창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STU9HN65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STU9HN65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 820m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 497-16026-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STU9HN65M2 | |
| 관련 링크 | STU9HN, STU9HN65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 0337900.UXS | SHUNT MICRO3 BLADE 32V AG 500 PC | 0337900.UXS.pdf | |
![]() | RT1206WRD07105KL | RES SMD 105K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD07105KL.pdf | |
![]() | 2SK3774-01S | 2SK3774-01S FUJI TO-263 | 2SK3774-01S.pdf | |
![]() | HY5S5B6HLP-6E-C | HY5S5B6HLP-6E-C HYNIX SMD or Through Hole | HY5S5B6HLP-6E-C.pdf | |
![]() | MM1248 | MM1248 MITSUMI SMD or Through Hole | MM1248.pdf | |
![]() | SC1211ST | SC1211ST SEMTECH SOP-8 | SC1211ST.pdf | |
![]() | Z84C1510FBC | Z84C1510FBC XILINXI QFP | Z84C1510FBC.pdf | |
![]() | MB8851A-500M | MB8851A-500M FUJ DIP | MB8851A-500M.pdf | |
![]() | MIC49150BR + | MIC49150BR + MIC TO2635 | MIC49150BR +.pdf | |
![]() | TA79L007AP | TA79L007AP TOSHIBA LSTM | TA79L007AP.pdf | |
![]() | SUD25N04-25-E3 | SUD25N04-25-E3 VISHAY TO-252 | SUD25N04-25-E3.pdf | |
![]() | IH03BQ251K | IH03BQ251K VISHD SMD or Through Hole | IH03BQ251K.pdf |