창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STSJ60NH3LL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STSJ60NH3LL | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC-EP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-5252-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STSJ60NH3LL | |
| 관련 링크 | STSJ60, STSJ60NH3LL 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
|  | F339X124733MDM2B0 | 4700pF Film Capacitor 330V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339X124733MDM2B0.pdf | |
|  | RMCF2010FT3K83 | RES SMD 3.83K OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT3K83.pdf | |
|  | RG3216N-47R0-B-T5 | RES SMD 47 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-47R0-B-T5.pdf | |
|  | 3314J-10K | 3314J-10K BOURNS SMD or Through Hole | 3314J-10K.pdf | |
|  | MMSZ5260BT1(43V) | MMSZ5260BT1(43V) ON 1206 | MMSZ5260BT1(43V).pdf | |
|  | S-81218SGUP | S-81218SGUP SII SOT-89 | S-81218SGUP.pdf | |
|  | ID9306-25A50R | ID9306-25A50R iDESYN SOT23-5 | ID9306-25A50R.pdf | |
|  | D7507SCT-266 | D7507SCT-266 NEC DIP | D7507SCT-266.pdf | |
|  | SA63B 60A | SA63B 60A FUJI SMD or Through Hole | SA63B 60A.pdf | |
|  | C062T105K5X5CM | C062T105K5X5CM KEMETELECTRONICS SMD DIP | C062T105K5X5CM.pdf | |
|  | MDR100A40 | MDR100A40 SanRex SMD or Through Hole | MDR100A40.pdf |