창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STS10N3LH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STS10N3LH5 | |
기타 관련 문서 | STS10N3LH5 View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 475pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-10010-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STS10N3LH5 | |
관련 링크 | STS10N, STS10N3LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 1PMT5927E3/TR13 | DIODE ZENER 12V 3W DO216AA | 1PMT5927E3/TR13.pdf | |
![]() | LNK305DN | Converter Offline Buck, Buck-Boost, Flyback Topology 66kHz SO-8C | LNK305DN.pdf | |
![]() | TEX-E0.50MM | TEX-E0.50MM FURUKAWASANGYOKA SMD or Through Hole | TEX-E0.50MM.pdf | |
![]() | V22BIS V5.1 | V22BIS V5.1 PHI QFP44 | V22BIS V5.1.pdf | |
![]() | PCDA0707-R15DMO | PCDA0707-R15DMO CYNTEC SMD | PCDA0707-R15DMO.pdf | |
![]() | 1812N100J302LT | 1812N100J302LT WALSIN SMD or Through Hole | 1812N100J302LT.pdf | |
![]() | E3110 | E3110 maconics SOP | E3110.pdf | |
![]() | RG1A107M05011PA190 | RG1A107M05011PA190 SAMWHA SMD or Through Hole | RG1A107M05011PA190.pdf | |
![]() | EFS2B | EFS2B ST SOP14 | EFS2B.pdf | |
![]() | LT1080MJ/883B | LT1080MJ/883B LT CDIP | LT1080MJ/883B.pdf | |
![]() | MCP4131-103E/P | MCP4131-103E/P Microchi SMD or Through Hole | MCP4131-103E/P.pdf |