창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP85N3LH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx85N3LH5 | |
| 기타 관련 문서 | STP85N3LH5 View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1850pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-8451-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP85N3LH5 | |
| 관련 링크 | STP85N, STP85N3LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-80-S-7SX-TR | 8MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-80-S-7SX-TR.pdf | |
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![]() | GS0276AJ-66 | GS0276AJ-66 GSI PLCC | GS0276AJ-66.pdf | |
![]() | EP20K100EFC3243 | EP20K100EFC3243 Altera SMD or Through Hole | EP20K100EFC3243.pdf | |
![]() | RTT06R050FTP | RTT06R050FTP Ralec SMD or Through Hole | RTT06R050FTP.pdf | |
![]() | GRM39C0G330J50PT | GRM39C0G330J50PT MURATA 4000R | GRM39C0G330J50PT.pdf | |
![]() | S-24CS01AFJ-TB | S-24CS01AFJ-TB SEIKO SOP8 | S-24CS01AFJ-TB.pdf | |
![]() | DRV8601DRB | DRV8601DRB TI QFN-8 | DRV8601DRB.pdf | |
![]() | CU384C | CU384C TI TSSOP24 | CU384C.pdf | |
![]() | HJ1J | HJ1J TAYCHIPST SMD or Through Hole | HJ1J.pdf |