창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP200NF04 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP200NF04, STB200NF04(-1) | |
| 기타 관련 문서 | STP200NF04 View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 310W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-3524-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP200NF04 | |
| 관련 링크 | STP200, STP200NF04 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 25SGV47M8X6.5 | 47µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 25SGV47M8X6.5.pdf | |
![]() | SR1218KK-0713RL | RES SMD 13 OHM 1W 1812 WIDE | SR1218KK-0713RL.pdf | |
![]() | 752181562GPTR7 | RES ARRAY 16 RES 5.6K OHM 18DRT | 752181562GPTR7.pdf | |
![]() | 39VF01090-4C-WH | 39VF01090-4C-WH ORIGINAL SMD or Through Hole | 39VF01090-4C-WH.pdf | |
![]() | M50461-085SP | M50461-085SP M DIP-30 | M50461-085SP.pdf | |
![]() | 350WV3200MFD | 350WV3200MFD NICHICON SMD or Through Hole | 350WV3200MFD.pdf | |
![]() | MCR25W | MCR25W ORIGINAL SMD or Through Hole | MCR25W.pdf | |
![]() | P1595 | P1595 ORIGINAL SMD or Through Hole | P1595.pdf | |
![]() | HD6433837E08X | HD6433837E08X RENESAS QFP100 | HD6433837E08X.pdf | |
![]() | lc863532c/58f6 | lc863532c/58f6 sanyo dip | lc863532c/58f6.pdf | |
![]() | MBR20100C TO220 | MBR20100C TO220 ORIGINAL TO220 | MBR20100C TO220.pdf | |
![]() | CL10C040BANC | CL10C040BANC SAMSANG SMD or Through Hole | CL10C040BANC.pdf |