창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJ4-10V102MH3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RJ4-10V102MH3 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RJ4-10V102MH3 | |
| 관련 링크 | RJ4-10V, RJ4-10V102MH3 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 18125A183GAT2A | 0.018µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18125A183GAT2A.pdf | |
| ECS-320-20-33-TR | 32MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-320-20-33-TR.pdf | ||
![]() | 416F3841XADT | 38.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3841XADT.pdf | |
![]() | TYS252012L6R8M-10 | 6.8µH Shielded Inductor 690mA 536 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | TYS252012L6R8M-10.pdf | |
![]() | 54F224IDM | 54F224IDM ORIGINAL SMD or Through Hole | 54F224IDM.pdf | |
![]() | IA2412S-2W | IA2412S-2W SUC SIP | IA2412S-2W.pdf | |
![]() | 2SA1022-C-TX | 2SA1022-C-TX RHM SOT-23 | 2SA1022-C-TX.pdf | |
![]() | 2SB798-T2 | 2SB798-T2 NEC SMD or Through Hole | 2SB798-T2.pdf | |
![]() | MM1115XS | MM1115XS ORIGINAL SMD or Through Hole | MM1115XS.pdf | |
![]() | NTH069C-20.0000 | NTH069C-20.0000 SARONIX SMD or Through Hole | NTH069C-20.0000.pdf | |
![]() | RD38F4050L0ZTQO | RD38F4050L0ZTQO INTEL SMD or Through Hole | RD38F4050L0ZTQO.pdf | |
![]() | CM32W5R224K100AT | CM32W5R224K100AT KYOCERA SMD | CM32W5R224K100AT.pdf |