창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP18N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx18N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP18N65M5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13109-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP18N65M5 | |
| 관련 링크 | STP18N, STP18N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 3SB 15 | FUSE GLASS 15A 125VAC 3AB 3AG | 3SB 15.pdf | |
![]() | TC05-2S101JR | TC05-2S101JR ORIGINAL SMD or Through Hole | TC05-2S101JR.pdf | |
![]() | R1100D221C-TR-F | R1100D221C-TR-F RICOH SOB1408 | R1100D221C-TR-F.pdf | |
![]() | LE33C | LE33C ST SMD or Through Hole | LE33C.pdf | |
![]() | KSC388-Y-TA(BULK) | KSC388-Y-TA(BULK) FAIRCHILD TR | KSC388-Y-TA(BULK).pdf | |
![]() | MGDT-25-J-CE | MGDT-25-J-CE GAIA SMD or Through Hole | MGDT-25-J-CE.pdf | |
![]() | 1770979-2 | 1770979-2 TYCOAMP SMD or Through Hole | 1770979-2.pdf | |
![]() | MAX4129ESD-T | MAX4129ESD-T MAXIM SOP14 | MAX4129ESD-T.pdf | |
![]() | 78M05-TO251 | 78M05-TO251 ST TO-251 | 78M05-TO251.pdf | |
![]() | CU1E220MCDANG | CU1E220MCDANG SANYO SMD or Through Hole | CU1E220MCDANG.pdf | |
![]() | 5-104935-1 | 5-104935-1 teconnectivity SMD or Through Hole | 5-104935-1.pdf | |
![]() | FX4C-68P-1.27DSAL(71) | FX4C-68P-1.27DSAL(71) HIROSE SMD or Through Hole | FX4C-68P-1.27DSAL(71).pdf |