창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP13NM50N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx13NM50N(-1) | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 960pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-7505-5 STP13NM50N-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP13NM50N | |
관련 링크 | STP13N, STP13NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | GRM0335C1H6R4BA01D | 6.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H6R4BA01D.pdf | |
![]() | VJ1812Y121KBCAT4X | 120pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y121KBCAT4X.pdf | |
![]() | ERJ-B1AJ472U | RES SMD 4.7K OHM 1W 2010 WIDE | ERJ-B1AJ472U.pdf | |
![]() | MBB02070D4532FC100 | RES 45.3K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070D4532FC100.pdf | |
![]() | ST311 | ST311 ST SMD or Through Hole | ST311.pdf | |
![]() | 37754-101 | 37754-101 ZARLINK QFP | 37754-101.pdf | |
![]() | SH2085-3 | SH2085-3 SANYO SMD or Through Hole | SH2085-3.pdf | |
![]() | SW26DXC930 | SW26DXC930 WESTCODE SMD or Through Hole | SW26DXC930.pdf | |
![]() | 4MBP75RA-060 | 4MBP75RA-060 FUJI SMD or Through Hole | 4MBP75RA-060.pdf | |
![]() | LT3476 | LT3476 LT QFN | LT3476.pdf | |
![]() | 1074V10%S | 1074V10%S avetron SMD or Through Hole | 1074V10%S.pdf |