창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI33N65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx33N65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ M2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1790pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15551-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STI33N65M2 | |
관련 링크 | STI33N, STI33N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | SM2615JT9R10 | RES SMD 9.1 OHM 5% 1W 2615 | SM2615JT9R10.pdf | |
![]() | TNPW2512560KBEEY | RES SMD 560K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512560KBEEY.pdf | |
![]() | CP00021K000KE66 | RES 1K OHM 2W 10% AXIAL | CP00021K000KE66.pdf | |
![]() | 211PL022S0048 | 211PL022S0048 FCIMVL SMD or Through Hole | 211PL022S0048.pdf | |
![]() | SM9926C0C-TRL | SM9926C0C-TRL ORIGINAL TSSOP | SM9926C0C-TRL.pdf | |
![]() | AD706GJ | AD706GJ AD DIP | AD706GJ.pdf | |
![]() | LM20123MHE+ | LM20123MHE+ NSC SMD or Through Hole | LM20123MHE+.pdf | |
![]() | SDT9000 | SDT9000 SONY SOP | SDT9000.pdf | |
![]() | XRA14741F-T1 | XRA14741F-T1 ORIGINAL SOP | XRA14741F-T1.pdf | |
![]() | AD7416BRM | AD7416BRM AD MSOP | AD7416BRM.pdf | |
![]() | RCR1578SS | RCR1578SS RCR TSSOP8 | RCR1578SS.pdf | |
![]() | CL31C102JBNC | CL31C102JBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31C102JBNC.pdf |