창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI18N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx18N65M5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-13272-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STI18N65M5 | |
관련 링크 | STI18N, STI18N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 1N5402G-T | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | 1N5402G-T.pdf | |
![]() | RCP0505B91R0GEA | RES SMD 91 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B91R0GEA.pdf | |
![]() | MCD40-16I05 | MCD40-16I05 ST SMD or Through Hole | MCD40-16I05.pdf | |
![]() | XC2VP20FG676-6I | XC2VP20FG676-6I XILINX BGA | XC2VP20FG676-6I.pdf | |
![]() | 37412000810 | 37412000810 LITTELFUSE DIP | 37412000810.pdf | |
![]() | R3877 | R3877 ORIGINAL DIP | R3877.pdf | |
![]() | BAV99 A7W | BAV99 A7W PHI SOT23 | BAV99 A7W.pdf | |
![]() | HL22D152MRAPF | HL22D152MRAPF HITACHI SMD | HL22D152MRAPF.pdf | |
![]() | D9KJF | D9KJF MICRON BGA | D9KJF.pdf | |
![]() | SAF7846HL/251 | SAF7846HL/251 NXP QFP | SAF7846HL/251.pdf | |
![]() | 2SD1580 | 2SD1580 TOS TO-3 | 2SD1580.pdf |