창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF10P6F6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx10P6F6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 48V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13831-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF10P6F6 | |
| 관련 링크 | STF10, STF10P6F6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602AIT2-XXE | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602AIT2-XXE.pdf | |
![]() | B8065CS | 836MHz Whip, Straight RF Antenna 806MHz ~ 866MHz 2.4dBi Connector, NMO Base Mount | B8065CS.pdf | |
![]() | 101R14N331JV4T | 101R14N331JV4T JOHANSONDIELECTRICS SMD or Through Hole | 101R14N331JV4T.pdf | |
![]() | FMY4A-T148 | FMY4A-T148 Rohm SMD or Through Hole | FMY4A-T148.pdf | |
![]() | G4O | G4O ORIGINAL SMD or Through Hole | G4O.pdf | |
![]() | 16-28839-1C | 16-28839-1C PCA SOP4 | 16-28839-1C.pdf | |
![]() | M29F800AB90M1 | M29F800AB90M1 SGS-THOMSON NA | M29F800AB90M1.pdf | |
![]() | XL1501AS-3.3 | XL1501AS-3.3 XLSEMI TO-263 | XL1501AS-3.3.pdf | |
![]() | NMCB1C106MTRF | NMCB1C106MTRF HITACHI SMD | NMCB1C106MTRF.pdf | |
![]() | LT1964ESS-BYP | LT1964ESS-BYP LT SOP | LT1964ESS-BYP.pdf | |
![]() | 1-826467-2 | 1-826467-2 TYCOAMP SMD or Through Hole | 1-826467-2.pdf |