창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD35NF06T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD35NF06 | |
| 기타 관련 문서 | STD35NF06 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 17.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-3159-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD35NF06T4 | |
| 관련 링크 | STD35N, STD35NF06T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | AUIRF5210S | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | AUIRF5210S.pdf | |
![]() | RC0805DR-07249RL | RES SMD 249 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-07249RL.pdf | |
![]() | Y14870R00600B9W | RES SMD 0.006 OHM 0.1% 1W 2512 | Y14870R00600B9W.pdf | |
![]() | FS-20SCBE39R00JE | RES 39 OHM 20W 5% WW RAD | FS-20SCBE39R00JE.pdf | |
![]() | ST324DIP | ST324DIP ST DIP14 | ST324DIP.pdf | |
![]() | PLB2800EV1.3 | PLB2800EV1.3 infineon BGA | PLB2800EV1.3.pdf | |
![]() | MN6030B | MN6030B PANASONI DIP | MN6030B.pdf | |
![]() | LT520 | LT520 LT SMD or Through Hole | LT520.pdf | |
![]() | SF0207A0532512N | SF0207A0532512N SAMYOUNG 3.22.51.2MM | SF0207A0532512N.pdf | |
![]() | RN2102MFV(TPL3) | RN2102MFV(TPL3) TOS SOT23-3 | RN2102MFV(TPL3).pdf | |
![]() | 78L059NES | 78L059NES ORIGINAL SOT89 | 78L059NES.pdf | |
![]() | MM74ACT715SC | MM74ACT715SC FAIRCHILD SOP | MM74ACT715SC.pdf |