창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB40NF10LT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB40NF10L | |
| 기타 관련 문서 | STB40NF10L View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-3736-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB40NF10LT4 | |
| 관련 링크 | STB40NF, STB40NF10LT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D750MXBAR | 75pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D750MXBAR.pdf | |
![]() | 4564-181J | 180µH Unshielded Inductor 200mA 3 Ohm Max Radial | 4564-181J.pdf | |
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![]() | CMF601K2700FKEK | RES 1.27K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K2700FKEK.pdf | |
![]() | 0603-33NH | 0603-33NH ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-33NH.pdf | |
![]() | C331221 11 | C331221 11 ORIGINAL SMD | C331221 11.pdf | |
![]() | NTF3055-160T3 | NTF3055-160T3 ON SMD or Through Hole | NTF3055-160T3.pdf | |
![]() | B3842A1M | B3842A1M FSC SOP-8 | B3842A1M.pdf | |
![]() | NB12M00273JBB | NB12M00273JBB AVX SMD | NB12M00273JBB.pdf | |
![]() | MC68000P | MC68000P MOT DIP | MC68000P.pdf | |
![]() | 74LB595 | 74LB595 ORIGINAL SMD or Through Hole | 74LB595.pdf | |
![]() | TS27L2AIN/IN | TS27L2AIN/IN ST DIP-8 | TS27L2AIN/IN.pdf |