창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB33N60DM2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P,W)33N60DM2 | |
| 비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
| 주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ DM2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1870pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-16354-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB33N60DM2 | |
| 관련 링크 | STB33N, STB33N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MCR10EZPF4872 | RES SMD 48.7K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF4872.pdf | |
![]() | 0603CS-181EJTS | 0603CS-181EJTS ACCEPTED SMD or Through Hole | 0603CS-181EJTS.pdf | |
![]() | DS36276N | DS36276N NSC DIP-8 | DS36276N.pdf | |
![]() | ST7FLITE25F2M6F | ST7FLITE25F2M6F ST SOP-20L | ST7FLITE25F2M6F.pdf | |
![]() | XC2VP4-5FG256C | XC2VP4-5FG256C XILINX SMD or Through Hole | XC2VP4-5FG256C.pdf | |
![]() | ADDAC08HD/ | ADDAC08HD/ AD CDIP | ADDAC08HD/.pdf | |
![]() | HDD10-12D05 | HDD10-12D05 HOPLITE SMD or Through Hole | HDD10-12D05.pdf | |
![]() | MF100N | MF100N NS DIP | MF100N.pdf | |
![]() | SAC85370 | SAC85370 NS DIP | SAC85370.pdf | |
![]() | W29EE512-45 | W29EE512-45 WINGBOND PLCC | W29EE512-45.pdf | |
![]() | DBL2036 | DBL2036 ORIGINAL SMD or Through Hole | DBL2036.pdf |