창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB200NF04T4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STP200NF04, STB200NF04(-1) | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-3513-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB200NF04T4 | |
관련 링크 | STB200N, STB200NF04T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CMR05F181JPDR | CMR MICA | CMR05F181JPDR.pdf | |
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![]() | TC652BFVUATR | IC TEMP SNSR/DC FAN CNTRLR 8MSOP | TC652BFVUATR.pdf | |
![]() | 2SK30A-O | 2SK30A-O ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SK30A-O.pdf | |
![]() | T7503 IEC | T7503 IEC ORIGINAL SOJ | T7503 IEC.pdf | |
![]() | CS1008F-101G | CS1008F-101G PREMO SMD or Through Hole | CS1008F-101G.pdf | |
![]() | SJK189 | SJK189 ORIGINAL SMD or Through Hole | SJK189.pdf | |
![]() | BQ014D0103J-- | BQ014D0103J-- AVX SMD or Through Hole | BQ014D0103J--.pdf |