창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB18NM80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx18NM80 | |
| 기타 관련 문서 | STB18NM80 View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 295m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2070pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-10117-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB18NM80 | |
| 관련 링크 | STB18, STB18NM80 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | LP080F33CET | 80MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP080F33CET.pdf | |
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![]() | BUK962-455 | BUK962-455 NXP TO-220 | BUK962-455.pdf | |
![]() | ESDALC6V1M3/C | ESDALC6V1M3/C ST SOD-883 | ESDALC6V1M3/C.pdf | |
![]() | BL-BA1134-1-L | BL-BA1134-1-L BRIGHT ROHS | BL-BA1134-1-L.pdf | |
![]() | TC5563APL | TC5563APL TOS DIP | TC5563APL.pdf | |
![]() | LS1240AL-2 | LS1240AL-2 UTC SOP-8 | LS1240AL-2.pdf |