창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-ST20DC3BBJ251NJJ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | ST20DC3BBJ251NJJ | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | ST20DC3BBJ251NJJ | |
관련 링크 | ST20DC3BB, ST20DC3BBJ251NJJ 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
MLZ2012A1R5WTD25 | 1.5µH Shielded Multilayer Inductor 750mA 169 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012A1R5WTD25.pdf | ||
Y00892K26000AR1R | RES 2.26K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00892K26000AR1R.pdf | ||
k511f58aca | k511f58aca samsung fbga137 | k511f58aca.pdf | ||
LC86P5420U | LC86P5420U SAY QFP | LC86P5420U.pdf | ||
SST25VF016B-50-4I-QAF | SST25VF016B-50-4I-QAF SST WSON8 | SST25VF016B-50-4I-QAF.pdf | ||
35.328M | 35.328M RALTRON 5 7 | 35.328M.pdf | ||
HM6-6616-8 | HM6-6616-8 HITACHI DIP | HM6-6616-8.pdf | ||
SR6K35M474X | SR6K35M474X EPCOS SMD or Through Hole | SR6K35M474X.pdf | ||
MD2S | MD2S RECTRON MD-S(SOP4) | MD2S.pdf | ||
KM681002AF-12 | KM681002AF-12 SEC TSSOP32 | KM681002AF-12.pdf | ||
TW6869-TA1-CR | TW6869-TA1-CR Intersil SMD or Through Hole | TW6869-TA1-CR.pdf | ||
T491D106K025AS7280 | T491D106K025AS7280 KEMET SMD | T491D106K025AS7280.pdf |