창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSN1N45BTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM1N45B | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 450V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.25옴 @ 250mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SSN1N45BTA-ND SSN1N45BTATB | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSN1N45BTA | |
관련 링크 | SSN1N4, SSN1N45BTA 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | MLG0603Q0N5C | 0.5nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603Q0N5C.pdf | |
![]() | AT0603DRD0713R3L | RES SMD 13.3 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD0713R3L.pdf | |
![]() | RT0805WRC0731R6L | RES SMD 31.6 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC0731R6L.pdf | |
![]() | IDT71V416L15PHGI (PB) | IDT71V416L15PHGI (PB) IDT TSOP-44 | IDT71V416L15PHGI (PB).pdf | |
![]() | LG8534-07D | LG8534-07D LG SMD or Through Hole | LG8534-07D.pdf | |
![]() | LC866232V-5B97 | LC866232V-5B97 SANYO SMD or Through Hole | LC866232V-5B97.pdf | |
![]() | 420V560UF | 420V560UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 420V560UF.pdf | |
![]() | LJ13-01260A | LJ13-01260A ORIGINAL SMD or Through Hole | LJ13-01260A.pdf | |
![]() | 87557-0001 | 87557-0001 MOLEX SMD or Through Hole | 87557-0001.pdf | |
![]() | CL21J475KPFN3NG | CL21J475KPFN3NG SAMSUNG SMD | CL21J475KPFN3NG.pdf |