창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM6N58NU,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM6N58NU | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 84m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 129pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM6N58NU,LF(B SSM6N58NU,LF(T SSM6N58NULF SSM6N58NULFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM6N58NU,LF | |
| 관련 링크 | SSM6N58, SSM6N58NU,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | BFC238560362 | 3600pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC238560362.pdf | |
![]() | MMSZ20T1G | DIODE ZENER 20V 500MW SOD123 | MMSZ20T1G.pdf | |
![]() | SCRH123-390 | 39µH Shielded Inductor 1.62A 215 mOhm Max Nonstandard | SCRH123-390.pdf | |
![]() | LD71D0016A-P | LD71D0016A-P N/M DIP | LD71D0016A-P.pdf | |
![]() | TEA6848H/V1S1 | TEA6848H/V1S1 PHI TQFP | TEA6848H/V1S1.pdf | |
![]() | IRFP104N | IRFP104N IR TO-247AC | IRFP104N.pdf | |
![]() | IRLR5151 | IRLR5151 IR SOT-252 | IRLR5151.pdf | |
![]() | CC20B1H102K-TP | CC20B1H102K-TP KCK SMD or Through Hole | CC20B1H102K-TP.pdf | |
![]() | KFS2832 | KFS2832 PEMFAST SMD or Through Hole | KFS2832.pdf | |
![]() | MCD038F | MCD038F NEC QFP | MCD038F.pdf | |
![]() | AN00 | AN00 SEMTECH SOT23-6 | AN00.pdf | |
![]() | RM835220 | RM835220 ORIGINAL DIP | RM835220.pdf |