창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6K411TU(TE85L,F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6K411TU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | UF6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SSM6K411TU(TE85LFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6K411TU(TE85L,F | |
관련 링크 | SSM6K411TU, SSM6K411TU(TE85L,F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | CGA2B3X7R1H104K050BD | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B3X7R1H104K050BD.pdf | |
![]() | SMCJ6047E3/TR13 | TVS DIODE 17VWM 31.9VC SMCJ | SMCJ6047E3/TR13.pdf | |
![]() | CN7187N | CN7187N SIG DIP24 | CN7187N.pdf | |
![]() | L24C04R6 | L24C04R6 ST SMD or Through Hole | L24C04R6.pdf | |
![]() | ZSS-112-03-L-D-645 | ZSS-112-03-L-D-645 SAMTEC SMD or Through Hole | ZSS-112-03-L-D-645.pdf | |
![]() | JN5121-000-M01V | JN5121-000-M01V ORIGINAL SMD or Through Hole | JN5121-000-M01V.pdf | |
![]() | TPS7A6050QKVUQ1 | TPS7A6050QKVUQ1 TI PFM5 | TPS7A6050QKVUQ1.pdf | |
![]() | P80C51F824 | P80C51F824 MHS DIP | P80C51F824.pdf | |
![]() | XC511370DAVPV | XC511370DAVPV MOT QFP | XC511370DAVPV.pdf | |
![]() | AL01BT1N8M | AL01BT1N8M VIKINGTECH SMD or Through Hole | AL01BT1N8M.pdf | |
![]() | OPA404AG BG | OPA404AG BG DIP BB | OPA404AG BG.pdf | |
![]() | 70V3579S6DR | 70V3579S6DR IDT BGA | 70V3579S6DR.pdf |