창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-R6015FNJTL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | R6015FNJ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | LPTS | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | R6015FNJTLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | R6015FNJTL | |
관련 링크 | R6015F, R6015FNJTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | P1330R-123H | 12µH Unshielded Inductor 912mA 252 mOhm Max Nonstandard | P1330R-123H.pdf | |
![]() | GP2A230LRSAF | PHOTOINTERRUPTER REFLEC 9MM | GP2A230LRSAF.pdf | |
![]() | DS108S | DS108S DS SOP-8 | DS108S.pdf | |
![]() | VVY50-16 | VVY50-16 IXYS SMD or Through Hole | VVY50-16.pdf | |
![]() | 08003GOB | 08003GOB MICROSEMI SMD or Through Hole | 08003GOB.pdf | |
![]() | PACV6A | PACV6A IC SOP | PACV6A.pdf | |
![]() | 175C100B | 175C100B MSC STUD | 175C100B.pdf | |
![]() | SRM2564TM-6264 | SRM2564TM-6264 SRM TSOP | SRM2564TM-6264.pdf | |
![]() | EL817 /PC817 | EL817 /PC817 ELEVER SOP-4 | EL817 /PC817.pdf | |
![]() | HA2-0200-2 | HA2-0200-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | HA2-0200-2.pdf | |
![]() | G6H-2-102-4.5VDC | G6H-2-102-4.5VDC ORIGINAL DIP | G6H-2-102-4.5VDC.pdf |