창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120N03-1M5L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQM120N03-1M5L-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-082-2014-Rev-1 22/Sep/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15605pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120N03-1M5L-GE3 SQM120N03-1M5L-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQM120N03-1M5L_GE3 | |
관련 링크 | SQM120N03-, SQM120N03-1M5L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SMAJ14 | TVS DIODE 14VWM 24.36VC SMA | SMAJ14.pdf | |
![]() | TNPU0603261RBZEN00 | RES SMD 261 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPU0603261RBZEN00.pdf | |
![]() | Y0062750R000A9L | RES 750 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y0062750R000A9L.pdf | |
![]() | IR2112S. | IR2112S. IR SOP167.2MM | IR2112S..pdf | |
![]() | NSD15-12D5 | NSD15-12D5 MW SMD or Through Hole | NSD15-12D5.pdf | |
![]() | C4532C0G1H1 | C4532C0G1H1 TDK SMD or Through Hole | C4532C0G1H1.pdf | |
![]() | L1A9690 | L1A9690 LSI QFP | L1A9690.pdf | |
![]() | 87C84GN-4A33 | 87C84GN-4A33 N/A DIP42 | 87C84GN-4A33.pdf | |
![]() | RC6432F122CS | RC6432F122CS SAMSUN SMD | RC6432F122CS.pdf | |
![]() | MABACT0011 | MABACT0011 M/A-COM SMD or Through Hole | MABACT0011.pdf | |
![]() | AQY214S. | AQY214S. Panosonic SOP4 | AQY214S..pdf | |
![]() | LB11820M-E | LB11820M-E SANYO SOP | LB11820M-E.pdf |