창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQJ951EP-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQJ951EP-T1-GE3 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SQJ951EP-T1-GE3 SQJ951EP-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQJ951EP-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQJ951EP-, SQJ951EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | H848K7BCA | RES 48.7K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H848K7BCA.pdf | |
![]() | NSP151M6.3D4TR | NSP151M6.3D4TR KE SMD or Through Hole | NSP151M6.3D4TR.pdf | |
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![]() | PIC16LC74B-04/PQ | PIC16LC74B-04/PQ MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC16LC74B-04/PQ.pdf | |
![]() | TM90CZ-M | TM90CZ-M MITSUBISHI SMD or Through Hole | TM90CZ-M.pdf | |
![]() | RM1412016 | RM1412016 HI-PELECTRONICSP SMD or Through Hole | RM1412016.pdf | |
![]() | RCP30D | RCP30D MIC/SEP/LD/HYG DIP | RCP30D.pdf | |
![]() | D424100V60 | D424100V60 NEC ZIP | D424100V60.pdf | |
![]() | B65651D630K48 | B65651D630K48 TDK-EPC SMD or Through Hole | B65651D630K48.pdf |