창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD15N06-42L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQD15N06-42L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-032-2014-Rev-0 31/Mar/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 535pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 37W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD15N06-42L-GE3 SQD15N06-42L-GE3-ND SQD15N06-42L_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD15N06-42L_GE3 | |
관련 링크 | SQD15N06-, SQD15N06-42L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 5400R-566J | 56mH Unshielded Inductor 86mA 5.83 Ohm Max Radial | 5400R-566J.pdf | |
![]() | Y174638R0000B9R | RES SMD 38 OHM 0.1% 0.6W J LEAD | Y174638R0000B9R.pdf | |
![]() | Y073425R2000B9L | RES 25.2 OHM 10W 0.1% RADIAL | Y073425R2000B9L.pdf | |
![]() | C14N16P-A3 | ENCODER OPT 16PPR 6.35MM D SHAFT | C14N16P-A3.pdf | |
![]() | CX06815-61 | CX06815-61 CONEXANT TSSOP28 | CX06815-61.pdf | |
![]() | SXE16VB152M12X25LL | SXE16VB152M12X25LL NIPPON DIP | SXE16VB152M12X25LL.pdf | |
![]() | LM4992SD | LM4992SD NS QFN-14 | LM4992SD .pdf | |
![]() | A185.. | A185.. TI/BB SSOP20 | A185...pdf | |
![]() | R3111Q381ATR | R3111Q381ATR RICOH SMD or Through Hole | R3111Q381ATR.pdf | |
![]() | FM1632 | FM1632 ORIGINAL SMD or Through Hole | FM1632.pdf | |
![]() | LOGT671-J+M | LOGT671-J+M OSRAM SMD | LOGT671-J+M.pdf |