창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQA410EJ-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQA410EJ-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-082-2014-Rev-1 22/Sep/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 485pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 13.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQA410EJ-T1-GE3 SQA410EJ-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQA410EJ-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQA410EJ-, SQA410EJ-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ECS-120-32-1 | 12MHz ±30ppm 수정 32pF 30옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | ECS-120-32-1.pdf | |
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![]() | IGP320M(216UISCSA32H) | IGP320M(216UISCSA32H) ATI SMD or Through Hole | IGP320M(216UISCSA32H).pdf | |
![]() | MB87526PF-G-BND | MB87526PF-G-BND FUJITSU SOP | MB87526PF-G-BND.pdf | |
![]() | HD74LVC373AFEL | HD74LVC373AFEL HITACHI SOP-5.2 | HD74LVC373AFEL.pdf | |
![]() | NL6448BC33-70F | NL6448BC33-70F NEC SMD or Through Hole | NL6448BC33-70F.pdf |