창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPW17N80C3A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPW17N80C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 177nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2320pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 227W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000101842 SPW17N80C3AX SPW17N80C3AXK | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPW17N80C3A | |
| 관련 링크 | SPW17N, SPW17N80C3A 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CF18JT8K20 | RES 8.2K OHM 1/8W 5% CARBON FILM | CF18JT8K20.pdf | |
![]() | CPR05330R0JE31 | RES 330 OHM 5W 5% RADIAL | CPR05330R0JE31.pdf | |
![]() | TX2N6033 | TX2N6033 MICROSEMI SMD | TX2N6033.pdf | |
![]() | UPD800277FC521 | UPD800277FC521 NEC BGA | UPD800277FC521.pdf | |
![]() | VOF1748C28DKB | VOF1748C28DKB SAMSUNG SMD or Through Hole | VOF1748C28DKB.pdf | |
![]() | VPX3226EA1 | VPX3226EA1 MICRONAS PLCC | VPX3226EA1.pdf | |
![]() | BMC-9451 4812-05 48V-12V | BMC-9451 4812-05 48V-12V MOT SMD or Through Hole | BMC-9451 4812-05 48V-12V.pdf | |
![]() | FJP3305H1/H2 | FJP3305H1/H2 FSC TO-220 | FJP3305H1/H2.pdf | |
![]() | RPE2C1H220J1A1Y01B | RPE2C1H220J1A1Y01B MURATA SMD or Through Hole | RPE2C1H220J1A1Y01B.pdf | |
![]() | UPD65626GF-312-3BA | UPD65626GF-312-3BA NEC QFP | UPD65626GF-312-3BA.pdf | |
![]() | 0154001.T | 0154001.T LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0154001.T.pdf | |
![]() | SC417908DW | SC417908DW MOT SMD or Through Hole | SC417908DW.pdf |