창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPU30N03S2-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPU30N03S2-08 | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Oct/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 85µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2170pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | P-TO251-3 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | SP000014129 SPU30N03S208X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPU30N03S2-08 | |
| 관련 링크 | SPU30N0, SPU30N03S2-08 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CPR051R600JE31 | RES 1.6 OHM 5W 5% RADIAL | CPR051R600JE31.pdf | |
![]() | TDA7850H | TDA7850H ST ROHS | TDA7850H.pdf | |
![]() | SS410D01 | SS410D01 CX SMD or Through Hole | SS410D01.pdf | |
![]() | HM16562B9PULLS | HM16562B9PULLS har SMD or Through Hole | HM16562B9PULLS.pdf | |
![]() | 09FLZ-RSM2-TB | 09FLZ-RSM2-TB JST SMD or Through Hole | 09FLZ-RSM2-TB.pdf | |
![]() | TR-93P | TR-93P N/A TO-264 | TR-93P.pdf | |
![]() | 16M151G | 16M151G BURNDY SMD or Through Hole | 16M151G.pdf | |
![]() | RVG4F03-102VM-TG | RVG4F03-102VM-TG MuRata 4X4 | RVG4F03-102VM-TG.pdf | |
![]() | SMBJ19A-TR | SMBJ19A-TR ST DO214AA | SMBJ19A-TR.pdf | |
![]() | SN65HVD33DG4 | SN65HVD33DG4 TEXASINSTRUMENTS SMD or Through Hole | SN65HVD33DG4.pdf |