창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP02N80C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPP02N80C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000683150 SPP02N80C3 SPP02N80C3IN SPP02N80C3IN-ND SPP02N80C3X SPP02N80C3XK SPP02N80C3XTIN SPP02N80C3XTIN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP02N80C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPP02N80C, SPP02N80C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ATS08A | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ATS08A.pdf | |
![]() | MCA12060D2612BP500 | RES SMD 26.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D2612BP500.pdf | |
![]() | CAT16-101J4GLF | RES ARRAY 4 RES 100 OHM 1206 | CAT16-101J4GLF.pdf | |
![]() | 833H-1C-F-C-12VDC | 833H-1C-F-C-12VDC SONGCHUANG DIP | 833H-1C-F-C-12VDC.pdf | |
![]() | 1412819-1 | 1412819-1 Tyco con | 1412819-1.pdf | |
![]() | 1521SYGCS530E5T | 1521SYGCS530E5T EVL SMD or Through Hole | 1521SYGCS530E5T.pdf | |
![]() | PWR220-2SA(RC)F 6.29 | PWR220-2SA(RC)F 6.29 BOURNS SMD or Through Hole | PWR220-2SA(RC)F 6.29.pdf | |
![]() | EXTRASAMPLES | EXTRASAMPLES ST QFP | EXTRASAMPLES.pdf | |
![]() | TFP410MPAPREP | TFP410MPAPREP TI SMD or Through Hole | TFP410MPAPREP.pdf | |
![]() | F520LF4 | F520LF4 FUSIT SMD or Through Hole | F520LF4.pdf | |
![]() | NZQA6V8XV5T1 | NZQA6V8XV5T1 ON SOT553 | NZQA6V8XV5T1.pdf | |
![]() | MMBT3096LT1 | MMBT3096LT1 ON SOT23 | MMBT3096LT1.pdf |