창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPI11N60C3HKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPx11N60C3 (E8185) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000013522 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPI11N60C3HKSA1 | |
| 관련 링크 | SPI11N60C, SPI11N60C3HKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C2012C0G1V273J060AC | 0.027µF 35V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012C0G1V273J060AC.pdf | |
![]() | B12J800 | RES 800 OHM 12W 5% AXIAL | B12J800.pdf | |
![]() | TB-285 | TB-285 MINI SMD or Through Hole | TB-285.pdf | |
![]() | SR0503 220MLB | SR0503 220MLB ABC SMD | SR0503 220MLB.pdf | |
![]() | AD5301202 | AD5301202 ORIGINAL SMD or Through Hole | AD5301202.pdf | |
![]() | ATTINY12-8SI | ATTINY12-8SI ATMEL SOP5.3 | ATTINY12-8SI.pdf | |
![]() | COPC880-MLO/N MKG:MLTCP-18 | COPC880-MLO/N MKG:MLTCP-18 NST DIP | COPC880-MLO/N MKG:MLTCP-18.pdf | |
![]() | TC7SH08FU(TE85L.F) | TC7SH08FU(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7SH08FU(TE85L.F).pdf | |
![]() | SSTUAF32866BHLF | SSTUAF32866BHLF IDT SMD or Through Hole | SSTUAF32866BHLF.pdf | |
![]() | RGA331M1ABK-0611P | RGA331M1ABK-0611P Lelon SMD or Through Hole | RGA331M1ABK-0611P.pdf | |
![]() | ACY44 | ACY44 NO SMD or Through Hole | ACY44.pdf | |
![]() | OP215HZ | OP215HZ AD DIP-8 | OP215HZ.pdf |