창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD06N80C3BTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD06N80C3 SPD06N80C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Halogen Part Status Rev 5/Aug/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 785pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000077606 SP000318350 SPD06N80C3 SPD06N80C3INTR SPD06N80C3INTR-ND SPD06N80C3T SPD06N80C3XT SPD06N80C3XTINTR SPD06N80C3XTINTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD06N80C3BTMA1 | |
관련 링크 | SPD06N80C, SPD06N80C3BTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
21FD3735 | 35µF Film Capacitor 370V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 1.875" Dia (47.63mm), Lip | 21FD3735.pdf | ||
![]() | VS-VSKS500/08PBF | MODULE THYRISTOR 500A MAP BLOCK | VS-VSKS500/08PBF.pdf | |
![]() | BL-HBX36G-A002-TRB2 | BL-HBX36G-A002-TRB2 BRIGHT ROHS | BL-HBX36G-A002-TRB2.pdf | |
![]() | MEM-63V563K | MEM-63V563K JS SMD or Through Hole | MEM-63V563K.pdf | |
![]() | PST9142NL | PST9142NL MITSUMI SOT-153 | PST9142NL.pdf | |
![]() | UA78P12SC | UA78P12SC UA TO-3 | UA78P12SC.pdf | |
![]() | 54FCT399TLB | 54FCT399TLB ORIGINAL CLCC | 54FCT399TLB.pdf | |
![]() | OP07FY | OP07FY AD DIP | OP07FY.pdf | |
![]() | NSC810AD-3M | NSC810AD-3M NS DIP | NSC810AD-3M.pdf | |
![]() | MCGAC | MCGAC N/A QFN6 | MCGAC.pdf |